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功率场效应晶体管MOSFET(四)
功率场效应晶体管MOSFET(四)
来源 :电源世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kissall79
【摘 要】
:
QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的,主要表现在三个方面:
【作 者】
:
周志敏
【机 构】
:
山东莱芜钢铁集团公司动力部
【出 处】
:
电源世界
【发表日期】
:
2005年7期
【关键词】
:
功率场效应晶体管
MOSFET
开关特性
栅极电荷
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QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的,主要表现在三个方面:
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