功率场效应晶体管MOSFET(四)

来源 :电源世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kissall79
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的,主要表现在三个方面:
其他文献
日前,德州仪器(TI)宣布了2006年电源设计系列研讨会在亚洲区的日程安排。中国区域会于10月24日在上海,10月27目在深圳举办两场。
新的功率半导体封装技术已经发展为:功率半导体芯片焊接在DCB陶瓷基板上,同时多达5个引脚的框架与基板是一体的。这种封装方法将模块与分离器件的装配技术结台,因此这种器件具有
本文分析了单级功率因数校正交换器存在储能电容电压过高的内在原因,提出了抑制电容电压的几种方案,并进行了电路分析和仿真试验。根据实验和电路分析结果,串联充电,并联放电方案
来稿、来信请寄:(100026)北京团结湖北路2号中国电源学会编辑工作委员会收电子信箱:bpsc@95777.com电话/传真:010-65825935
本文对四桥臂三相逆变器的三维空间矢量轨迹进行了研究。根据对称矢量分析法推导出空间矢量的计算公式,运用空间合成原理计算出相应开关矢量的占空比,得出开关功率管的驱动信
本文通过一个对FB-ZVS-PWM变换器进行仿真的例子,介绍了MATLAB在研究电压型软开关中的应用,叙述了模型的建立过程,给出了仿真结果,展示了MATLAB在电力电子仿真中的应用前景。
A1tman Rentals于6月22日至23日在美国扬克斯举办了LED照明展。各大领先的LED生产商在展会上展示了最新的LED技术,同时也共同探讨了最新的照明工程和未来的LED开发。探讨的问
4 单级高性能、高功率因数高频交流电子镇流器由于双级式高频交流电子镇流器使用元件多,价格较高。所以尽管性能指标好,但也难于大批量生产、使用,为了进一步简化电路,提高电子镇
德国英飞凌科技与台湾南亚科技公司面向利用300rim晶圆生产的新一代DRAM,日前联合开发出了一种采用沟道结构内存单元的70nm工艺技术。准备用于2007年开始量产的1Gbit及2Gbit产
从目前消费电子市场的竞争情况来看,各厂商产品在显示、芯片、外观设计、新功能增加等方面的差距在逐渐缩小。原有的某些可以大大吸引消费者的技术或功能特点已经基本满足消费