斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究

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【摘要】

：

介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作.该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低

【作者】

：

宣云刘泽文雷啸锋李志坚刘理天

【机构】

：

清华大学

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

开关射频微机电系统共面波导 switch RF-MEMS CPW（co-planar waveguide）

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作.该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近.制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线.开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,'开'态插入损耗为1.03 dB,'关'态隔离度为26.5 dB.

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