主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结构,减少晶体硅与金属的接触面积来降低复合损耗;2)硅异质结(SHJ)型太阳电池的本征非晶硅薄层提供了良好的钝化效果,同时晶体硅与非晶硅间的异质接触使得器件的开路电压相对更高;3)隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)型太阳电池采用超薄隧道氧化物(SiOx)和磷掺杂硅层,显著地减少了金属-半导体界面处的表面复合;4)新型选择性接触(selective contact)型太阳电池(如DASH电池)采用低温无掺杂的金属氧化物作为电子/空穴选择层,实现了对光生载流子的有效收集.