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本文研究了功率VMOSFET 的温度效应,在计算中,考虑了温度对迁移率、禁带宽度、费米势的影响,计入了掺杂原子不完全电离的作用,给出了击穿电压BV、导通电阻Ron及性能的优良性指标Ron/BV 的温度效应曲线并对其进行了分析和讨论.更多还原
功率VMOSFET击穿电压和导通电阻的温度效应
【摘 要】
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本文研究了功率VMOSFET 的温度效应,在计算中,考虑了温度对迁移率、禁带宽度、费米势的影响,计入了掺杂原子不完全电离的作用,给出了击穿电压BV、导通电阻Ron及性能的优良性
【机 构】
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西安交通大学信息与控制工程系,西安交通大学信息与控制工程系
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1990年8期
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