【摘 要】
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提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管．报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程．与其他常规鳍形场效应管器
【机 构】
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【基金项目】
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Acknowledgements The authors would like to thank Dr. Sean Xing and David Yuan from Synopsys for help in TCAD simulation.
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提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管．报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程．与其他常规鳍形场效应管器件（FinFET）相比，该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题，进一步提高器件性能及按比例缩小能力．技术仿真结果显示，圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件，其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点．就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言，该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制．由于克服了由不对称场的积
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