【摘 要】
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基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内低频段的增益，将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络，将GaAs PHEMT的栅极等效电容和漏极等效电容加入匹配电路中，缩小了宽带功率放大器MMIC的尺寸。在片测试结果表明，该放大器MMIC在6～27 GHz内，增益大于23 dB
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基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内低频段的增益，将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络，将GaAs PHEMT的栅极等效电容和漏极等效电容加入匹配电路中，缩小了宽带功率放大器MMIC的尺寸。在片测试结果表明，该放大器MMIC在6～27 GHz内，增益大于23 dB,增益平坦度约为±0.8 dB,饱和输出功率大于20.9 dBm。放大器MMIC的工作电压为4 V,电流为125 mA,芯片尺寸为1.69 mm×0.96 mm。该宽带功率放大器MMIC有利于降低宽带系统的复杂度和成本。
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