【摘 要】
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ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60 meV,远大于室温热离化能(26 meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外发射材料.ZnO半导体量
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林大学,长春大学
【基金项目】
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国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程项目;国家高技术研究发展计划(863计划)
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ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60 meV,远大于室温热离化能(26 meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外发射材料.ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性,特别在紫外激光器件方面,与ZnO的激子特性密切相关,因此理论上对ZnO量子点中激子的基态能(束缚能)的研究就显得十分必要.采用有效质量近似(EMA)方法,提出新的比较简单的尝试波函数,并用变分法对ZnO量子点的激子基态能进行了计算.将计算结果与我们用固态热分解法制备的ZnO量子点的实验结果进行了比较,发现与实验结果非常吻合;与Y.Kayanuma的理论计算结果进行了比较,二者的计算结果也基本一致.说明选取的尝试波函数简单有效,可用于计算其他半导体量子点材料,具有一定的实用价值.
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