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描述了基于CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计，其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机(如符合IEEE802．11a和802．11b／g标准的WLAN)中的两个单独的低噪声放大器．讨论了输入功率和噪声的双带同时匹配以及负载对增益的影响．芯片的加工工艺是0．25μm CMOS混合及射频工艺．并总结和分析了芯片的测试结果。