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IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFETMOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻（RDS（on）），能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。所有新器件均达到第一级潮湿敏感度（MSLＩ）业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定（RoHS），不含铅、溴化物和卤素。