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采用预充电技术和合理的反馈结构设计了一种比较器，与一般的比较器相比，该电路具有更快的响应速度，更高的精度和灵敏度，较小的失调电压和较低的功耗。该比较器采用典型的TSMC0．6μm硅CMOS工艺模型，利用Cadence进行模拟仿真。结果表明，比较器的延时为0．069μs，精度为20mV，在5V电源电压下。功耗为0．7765W。