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门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究
门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究
来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ttjjww1129
【摘 要】
:
简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上
【作 者】
:
王彩琳
高勇
马丽
刘静
【机 构】
:
西安理工大学电子工程系
【出 处】
:
电子器件
【发表日期】
:
2008年2期
【关键词】
:
电力半导体器件
门极换流晶闸管
场阻止层
透明阳极
击穿
power semiconductor devices
Gate Commutated Thyris
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简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性。
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