透明阳极相关论文
本文采用一种结构为Ag/MoO_3/Ag的金属/氧化物/金属(M_1/O/M_2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO_3/Ag叠层结构变化对于O......
本文采用一种结构为Ag/MoO3/Ag的金属/氧化物/金属(M1/O/M2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO3/Ag叠层结构变化对于OLED......
通过分析门极换流晶闸管(GCT)透明阳极的电流输运过程,研究了透明阳极的机理,导出了透明阳极电子电流密度的表达式.并利用MEDICI软......
通过对门极换流晶闸管（GCT）关键技术的研究，提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构。借助MEDICI软件，模拟了GCT的各项特性及其在内部的微......
简述了门极换流晶闸管（GCT）的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力，研究......
在建立GCT器件模型的基础上，研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定......
分析了集成门极换向型晶闸管(IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点,并进行了数值模拟.利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴......
根据半导体器件的设计特点和设计原则，对600A／3000V非对称型门极换流品闸管进行了结构参数的优化设计，得到了材料参数与结构参数的关......
采用数值模拟方法研究了缓冲层和透明阳极的结构参数对阳极透过率的影响.结果表明:透明阳极在较小的电流密度情况下具有较低的透过......
提出了逆导型门极换流晶闸管(RC—GCT)中几个关键参数，如n^-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法．根据该设计......
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造......
在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.......
集成门极换流晶闸管(IGCT)物理模型中载流子寿命与器件动静态特性有着密切联系。现有基于器件关断拖尾电流的载流子寿命参数提取方......
门极换流晶闸管(GCT)是在GTO的基础上开发的一种新型大功率半导体器件，有广阔应用的前景，目前在国内尚属空白。本文系统地分析了GCT......
从1957年可控硅面世至今，晶闸管已经历过半个世纪的发展。它的功率容量已是最初的3000多倍，并且随着可关断晶闸管的发展成熟，成功克服......
