【摘 要】
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异质结工程是一种提高半导体材料光电性能的有效方法.本文构建了全无机钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)和二维五环石墨烯penta-graphene(PG)的新型范德瓦耳斯(vdW)异质结,利用第
【机 构】
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中南大学物理与电子学院,中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:21673296),中南大学自由探索创新项目(批准号:2020zzts371)资助的课题.
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异质结工程是一种提高半导体材料光电性能的有效方法.本文构建了全无机钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)和二维五环石墨烯penta-graphene(PG)的新型范德瓦耳斯(vdW)异质结,利用第一性原理研究了CsPbX_(3)-PG异质结不同界面接触的稳定性,进而计算了稳定性较好的Pb-X接触界面异质结的电子结构和光电性能.研究结果表明,CsPbX_(3)-PG(X=Cl,Br,I)异质结具有II型能带排列特征,能级差距由Cl向I逐渐缩小,具有良好的光生载流子分离能力和电荷输运性质.此外,研究发
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