【摘 要】
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设计并实现了一种基于TSMC 0．25μm CMOS工艺的低噪声、1．25Gb／s和124dBΩ的光接收机前端放大器,跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术，克服了CMOS光检测器大寄生
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：2002AA312240）.
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设计并实现了一种基于TSMC 0．25μm CMOS工艺的低噪声、1．25Gb／s和124dBΩ的光接收机前端放大器,跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术，克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题,测试结果表明，在2pF的寄生电容下，前端放大器工作速率达到了1．25Gb／s，在光功率为-17dBm的光信号输入下得到了清晰的眼图，芯片采用3．3V电压供电，功耗为122mW，差分输出电压幅度为660mV。
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