【摘 要】
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提出了一种用于低噪声、高精度运放输入级的先进 J F E T 共源共栅结构,分析并验证了该结构在噪声、失调和漂移等方面的优良性能及其在减小芯片面积、提高集成度上的突出特点
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提出了一种用于低噪声、高精度运放输入级的先进 J F E T 共源共栅结构,分析并验证了该结构在噪声、失调和漂移等方面的优良性能及其在减小芯片面积、提高集成度上的突出特点,并讨论了该结构在运放输入级中的应用效果.“,”An advanced JFET cascode structure for the input stage of low noise,high precision operational amplifiers is proposed.Its excellent performances,such as noise,offset and drift etc,are analyzed and validated.Outstanding features of the circuit in minimizing the die area and increasing integration density are described.Finally,its application to the input stage of the op amp is discussed.
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