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三菱电机株式会社开发出具有独特电场场限结构的沟槽型^[2]SiC[3]-MOSFET^[4],其耐压可达1500V以上,同时还具有全球领先水平⑴的器件通态电阻率——1.84m·Ω·cm^2。将该功率半导体器件搭载于功率半导体模块中,有助于实现电力电子设备的小型化和节能化。
三菱电机开发出具有独特电场场限结构的沟槽型SiC-MOSFET
【摘 要】
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三菱电机株式会社开发出具有独特电场场限结构的沟槽型^[2]SiC[3]-MOSFET^[4],其耐压可达1500V以上,同时还具有全球领先水平⑴的器件通态电阻率——1.84m·Ω·cm^2
【出 处】
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变频器世界
【发表日期】
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2019年10期
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