【摘 要】
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本文介绍了“双重吸杂技术”的优点,它比目前常规“POGO”技术,减少了三次CVD 工艺过程,操作简便,有利于大批量生产;报导了具有双重吸杂机制的晶片之吸杂效果。实验证明,不仅
【机 构】
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哈尔滨工业大学半导体器件与材料教研室; 国营曙光无线电厂; 国营曙光无线电厂;
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本文介绍了“双重吸杂技术”的优点,它比目前常规“POGO”技术,减少了三次CVD 工艺过程,操作简便,有利于大批量生产;报导了具有双重吸杂机制的晶片之吸杂效果。实验证明,不仅可吸除外延层中的多种微缺陷而使Cl—H—Si 系统生长的外延片得到全亮片,同时也可吸除单晶片中的一些微缺陷,从而提高了晶片的性能。用经过这种技术处理的单晶片或生长的外延片制管时,不但提高了管芯成品率,而且电参数一致性好,击穿耐量高,漏电流小,大电流下伏——安特性好,并列举了制管实验结果。除此之外,文中对双重吸杂机构的吸杂机理,作了初步讨论.
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