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本文提出了一种直稳态二维短沟道SOI-MOS PET/LDD结构的数值模型,所选用的基本方程是泊松方程、载流子的电流连续性方程和电流密度方程。该模型从SOI器件的结构出发,着重考虑了阈值电压随沟道长度的变化关系,提出了采用轻掺杂漏、源(LDD)结构,可以提高器件的性能。
二维短沟道SOI—MOSFET／LDD结构的阈值电压
【摘 要】
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本文提出了一种直稳态二维短沟道SOI-MOS PET/LDD结构的数值模型,所选用的基本方程是泊松方程、载流子的电流连续性方程和电流密度方程。该模型从SOI器件的结构出发,着重考虑
【机 构】
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长沙交通学院
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年6期
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