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硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cellx

【摘 要】

：

我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80nm厚的硅氧化层和1nm厚的富锗层．新发现快速氧

【作 者】

：

黄伟其 蔡绍洪 刘世容 

【机 构】

：

贵州大学物理系,中国科学院地球化学研究所电镜室

【出 处】

：

量子电子学报

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

硅锗合金 纳米结构 发光谱 光电子学 锗团簇 optoelectronics  nanostructure  Ge cluster  PL spectra 

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我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80nm厚的硅氧化层和1nm厚的富锗层．新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1～2nm厚的锗层．分析了锗纳米结构对应的PL发光谱，注意到锗纳米层对应的541nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550～720nm波长的发光带．从量子受限模型和局域密度泛函计算出发。合理地解释了实验的结果．

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