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以氮等离子体为氮源，以三乙基镓（TEG）为镓源，在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法，提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构，用原子力显微镜来表征表面形貌。通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较，对GaN的氮化实验参数进行了优化。