利用金属过渡层低温键合硅晶片

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：feidog

【摘要】

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在Si／Si之间采用Ti／Au金属过渡层，实现了Si／Si低温键合，键合温度可低至414℃．采用拉伸强度测试对Si／Si键合结构的界面特性进行测试，结果表明，键合强度高于1．27MPa；I-V测试表明，Si／Ti／Au／Ti／Si

【作者】

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张小英陈松岩赖虹凯李成余金中

【机构】

：

厦门大学物理系半导体光子学研究中心,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

硅片键合界面特性金属过渡层键合机理 wafer bonding interface characteristic intermediate metals

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在Si／Si之间采用Ti／Au金属过渡层，实现了Si／Si低温键合，键合温度可低至414℃．采用拉伸强度测试对Si／Si键合结构的界面特性进行测试，结果表明，键合强度高于1．27MPa；I-V测试表明，Si／Ti／Au／Ti／Si键合界面基本为欧姆接触；X射线光电子能谱（XPS）测试结果进一步表明，界面主要为Si-Au共晶合金．不同温度的变温退火实验表明，键合温度越高，键合强度越大，且渐变退火有利于提高键合强度．

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