采用事件相关电位持续性操作测试(CPT-AX)Go/Nogo任务，比较分析睡眠呼吸障碍(sleep disordered breathing，SDB)与正常儿童事件相关电位(the event related potential，ERP)及行为学特征，探讨学龄期SDB儿童左右脑注意认知缺陷的特征。
方法选6～8岁SDB及正常儿童各20名，进行CPT-AX(Go/Nogo)。记录SDB与正常儿童ERP行为学，测量F3、Fz、F4导联N2、P3波幅、潜伏期并进行比较。
结果(1)SDB与对照组儿童行为学比较：正确个数[(36.45±3.44)个，(35.00±3.46)个]，反应时间[(516.84±54.14)ms，(496.94±78.89)ms]，虚报个数[1.0(0.25，3.75)个，0.5(0.00，3.00)个]，差异均无统计学意义(P>0.05)；2.Go/Nogo任务F3、Fz、F4导联比较：(1)：SDB组：Go-N2波幅：[－7.75(－12.03，－1.09)μV，(－8.69±5.72)μV，(－7.12±4，68)μV]与Nogo-N2波幅：[(－10.72±4.49)μV，(－12.16±4.60)μV，(－11.78±4.44)μV]，显示SDB患儿在左、中、右三个额区比较，均差异无统计学意义(P>0.05)；(2)对照组：Go-N2波幅比较：F3、Fz比较[(－7.26±3.18)μV，(－9.09±3.11)μV]，差异无统计学意义(P>0.05)；F3、F4比较[(－7.26±3.18)μV，(－6.10±3.36)μV]，差异无统计学意义(P>0.05)；Fz、F4比较[(－9.09±3.11)μV，(－6.10±3.36)μV]，显示额中央区波幅明显高于右侧额叶，差异有统计学意义(P<0.05)。Nogo-N2波幅比较：F3、Fz比较[(－14.05±3.31)μV，(－15.50±3.52)μV]，差异无统计学意义(P>0.05)；F3、F4比较[(－14.05±3.31)μV，－11.75(－12.68，－10.43)μV]，显示左侧额叶波幅明显高于右侧额叶，差异有统计学意义(P<0.05)；Fz、F4比较[(－15.50±3.52)μV，－11.75(－12.68，－10.43)μV]，显示额中央明显高于右侧额叶，差异具有统计学意义(P<0.05)。(3)Go/Nogo任务在F3、Fz、F4导联的N2潜伏期，P3波幅及潜伏期比较，三组间比较均差异无统计学意义(P>0.05)。
结论在处理相同的冲突监测任务时，正常学龄期儿童表现出左侧优势脑区，而SDB儿童未表现出明显的优势脑区，提示左半球激活欠佳，功能不协调，SDB患儿左侧额叶损伤比右侧更明显。