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通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为2000的MOS电容栅氧化硅层中产生的陷阱密度为2.35×1018cm－3，表明充电效应导致损伤的出现。
等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定
【摘 要】
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通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为2000的MOS电容栅氧化硅
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所微电子学分部
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2001年1期
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