陷阱密度相关论文
通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于P......
空间电荷效应是导致电气设备绝缘老化和失效的重要因素,而介质热老化过程会对空间电荷特性产生显著影响,因此,深入而系统地研究电......
从理论上分析了电场应力前后氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的能带结构和传导机理,提取了应力前后FTO薄膜的太赫兹电导率。采用Drude模型对......
...
本文主要用电化学方法研究了氢在2205 双相不锈钢的扩散系数，可扩散氢的浓度和氢陷阱密度，同时用局部交流阻抗的微区电化学技术......
本文运用电化学渗透技术研究了304不锈钢的氢扩散和捕获现象。结果表明，随着阴极充氢电流密度的增大，阳极饱和电流密度也随之增大，进......
对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ,总的有效陷阱密度N和强度特性因子η(Ⅰ)的温度特性进行了理论研究.结果显示在两中心......
该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的......
该文对超薄栅氧化层经时击穿(TDDB)击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米MOS器件热载流子效应(HCE)进行了系统研究.主要研究结果......
本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分......
制备了基于P3HT∶PCBM复合体异质结有机太阳能电池,通过改变旋涂速度和时间来控制活性混合膜中溶剂的挥发时间,研究了载流子复合损......
采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验，提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效的方法，该方法根据电荷陷落的动......
通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致......
在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上，提出了双层有机电致发光器件的数值模型，研究了结构为“阳极／空穴输运层(HTL)／发光层(EML)／阴极”......
对油纸绝缘样品施加10 k V/mm场强进行电老化试验,并采用松弛电流法研究了油纸绝缘的老化评估方法。利用色谱法测试不同老化程度油......
通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A&......
有机电致发光器件具有视角宽、响应速度快、主动发光、发光亮度和效率高、可以实现全色显示和柔性显示等优点,因而倍受科学界和产......
在高压直流输变电设备绝缘系统中,空间电荷效应是影响设备绝缘劣化的主要因素之一.研究材料陷阱分布对空间电荷形成与积累特性的影......
纳米聚乙烯型复合材料具有优良的电学性能,广泛用于高压及超高压直流输电线缆上,而在长时间直流高压电场作用下聚合物绝缘介质中会......
