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采用He-Ne激光（5roW／mm^2）辐照处理经增强UV-B（10．08kJ·m-2·d-1）辐射后的小麦幼苗，对小麦根尖细胞染色体进行了研究．结果表明：增强的uV—B能使小麦根尖细胞落后染色体、染色体桥、游离染色体、核异常数量增加，并在其中发现单极分裂、分束分裂、不均等分裂等畸变；随着uV—B处理时间的增加，染色体畸变率先升高后下降，增强uV—B处理后He—Ne激光的辐照使得染色体畸变率有明显下降．说明He-Ne激光对增强uV—B辐射后小麦根尖细胞染色体的损伤有一定程度的修复作用．