论文部分内容阅读
对磷硅镉（CdSiPz）单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析，设计出新型的逐层减压坩埚。通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压，平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力，实现逐层减压，从而减小了内层坩埚形变，降低了生长容器爆炸的几率。同时，改进了布里奇曼生长法的降温工艺，生长出尺寸达＋14mm×32mm的CdSiP：单晶体。X射线分析表明单晶衍射面为（204）晶面，回摆峰半峰宽值为0．434，衍射谱峰强度高，具有良好的对称性；晶体在1500—7500cm。波数范围