【摘 要】
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采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:
【机 构】
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安顺学院物理与电子科学系,安顺561000贵州大学理学院,贵阳550025;安顺学院物理与电子科学系,安顺,561000;贵州大学理学院,贵阳,550025;
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采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11 TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38 eV变为0.082 eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11 TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33 eV处有一个峰,而原位于4.53 eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低.
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