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从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来，相变存储器的发展十分迅猛。相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品。文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点，从相变材料，器件结构，存储阵列等方面分析国内外研究现状，并讨论了器件失效与可靠性问题。