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InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射，使InP层对InGaAs／InP PIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度，并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较，分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明，随着InP层厚度的增加，响应度峰与峰的间隔△λ不断减小，波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显，且随着InP层厚度的增加，响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。