PIN探测器相关论文
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420 μm左右.PIN探测器的光敏面采用......
φ硅PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器,我们用万居级的Cγ放射源测量了该类探测器的Cγ灵敏度,用CГC脉冲......
针对稳态信号测量中探测器信号电流小于暗流,从测量数据中很难获取可靠信号数据的测量困难,采用在被测量电流进入纪录仪器前,同时......
本文概述了半导体制冷技术的特点及其应用,介绍了PIN探测器冷却组件的方案选择、基本原理、设计计算和性能试验结果.......
在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探......
给出了利用PIN半导体探测器和ST401塑料闪烁体配合光电倍增管测量的"闪光二号"加速器高功率质子束传输不同距离后轰击19F靶产生的6......
主要研究了"闪光二号"加速器的高功率质子束产生6.129MeV准单能脉冲γ射线强度的实验测量技术.选取Si-PIN探测器测量准单能脉冲γ......
ф60mm×600μm硅PIN探测器是国内近年研制出来的新型半导体探测器,本文根据PIN探测器时间响应理论模型,分析了影响探测器时间响应......
本文给出了西北核技术研究所"闪光二号"加速器产生强流脉冲离子束调试过程中参数诊断的初步结果,主要包括:初步进行的C靶活化法确......
为了在n、γ脉冲裂变辐射场中应用φ60mm×600μm硅PIN新型探测器，需要知道这种探测器分别对n、γ的灵敏度，本工作实验测量并计算了......
对新型组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度进行了研究 ,实验测量探测器的DT中子灵敏度和γ相对灵敏度 ,用Monte Carlo方法计算了探测器......
扫描近场光学显微术(Scanning near-field optical microscopy,简称为SNOM)是一种在近几十年来取得快速发展的新兴技术。它突破了......
提出了一种效率增强型硅 PIN探测器和新型高灵敏大面积硅 PIN探测器阵列的设计思想 ,并且对它们的探测灵敏度和相对误差进行了详细......
针对裂变 γ辐射能谱的特点 ,采用散射测量技术并选择散射角度 ( 70°) ,将裂变 γ连续谱压缩 ,利用 PIN型探测器对压缩后能段能谱......
为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C?cm2的电流型探测器的要求,介绍......
提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子......
利用中子与235U发生裂变反应的截面在裂变中子能区基本不变这一特点,可设计研制裂变靶室探测系统,该系统中子能量响应较平坦,在脉......
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测......
设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/......
介绍了一种新型应用于FOCS（光纤电流传感器）的PIN的光检测放大器的设计，并提出了一种新型的双T型选频网络电路，对放大器各级的设计原理......
给出了利用PIN半导体探测器和ST401塑料闪烁体配合光电倍增管测量的强流脉冲质子束轰击含19F核素的靶产生的6-7MeV准单能脉冲γ射......
研制了工作于大气中的空间光通信系统,系统的发射天线采用了两组互相独立的组合式准直光学系统,发射光源采用980nm的CW激光器,调制......
通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用。数值模拟研......
UTX850B系列一配备最为先进的高分辨率电致冷Si—PIN探测器，可以测试欧盟RoHS指令所要求的有害物质Pb，Cd，Hg以及总Br，总Cr等元素的测定......
为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C·cm2的电流型探测器的要求,......
多年来，许多托卡马克装置都在进行着氢弹丸和氘弹丸的注入实验研究，其主要目的在于探索用弹丸注入方法对将来聚变反应堆实验再加料的......
为了在复杂电磁环境下远距离传输超快脉冲电信号，采用电光转换法将超快脉冲电信号转化为光信号，光信号经数公里光纤传输，在光纤末端采......
文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析......
介绍了非等权测量条件下PIN探测器灵敏度的回归模型，探讨了预测值置信区间的计算方法。详细论述了多元线性回归分析PIN探测器能响曲......
介绍了北京大学EN串列静电加速器近两年来的维护运行情况。包括加速器工作在较高端电压时的稳定运行条件,其中分压电阻阻值的稳定......
在'闪光二号'加速器产生的强流脉冲离子束(IPIB)调试过程中采用复合法进行参数诊断.主要测量质子与C靶的核反应所产生的放......
采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了......
设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-χN／GaN异质结pin光电探测器，利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了A1xGa1-xN／Ga......
光学神经网络中非线性输出一个瓶颈，本文报导了一种集成光电非线性输出器件（探测器件阵列），给出了器件的结构、性能、制造及实验结果。......
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器......
φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测......
在研究通道衰减、探测方法分离和探测器中子/γ射线本征分辨的基础上,研究了测量高能脉冲裂变中子数目的探测技术。基于电流型Si-P......
利用W．C.Dikinson推导的PIN探测器的时间响应公式计算的波形与实测波形进行比较，反推探测器的电容值C，这种方法称为脉冲响应法。这种......
针对裂变γ辐射能谱的特点，采用散射测量技术并选择散射角度（70°），将裂变γ连续谱压缩，利用PIN型探测器对压缩后能段能谱响应平坦......
采用理论模拟和IVA(inductive voltage adder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入......
在强脉冲裂变中子-伽马混合辐射场中,通常利用反冲质子探测系统对高能中子进行测量,如何提高探测系统的信噪比是设计的关键。采用M......
介绍了在神光Ⅱ装置上开展的长脉冲2ns三倍频激光与黑腔靶相互作用的实验。报道了采用PIN探测器阵列测量大角度受激Raman散射（SRS）角......
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InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射，使InP层对InGaAs／InP PIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面......
期刊
为了获得无线上网,免去PC机之间繁琐的导线连接.可采用遵守无线局域网协议的无线网卡和微波收发器.但现有大多数PC机配置的是有线......
