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采用内匹配和功率合成技术，设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成，在陶瓷（Al2O3）基片上设计制作功分器，使其输入输出阻抗均为50赘。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220W以上，增益大于11dB，功率附加效率大于48%，功率合成效率比达到90%。
C波段GaN高功率放大器设计
【摘 要】
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采用内匹配和功率合成技术，设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成，在陶瓷（Al2O3）基片上设计制作功分器，使其输入输出阻抗均为50赘。实际脉冲测试该功放
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2018年1期
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