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计算了外压调制下ZnO体系电子结构特性，分析了外压对ZnO电子结构的影响。所有计算都是基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结果表明：随着压力的逐渐增大，Zn-O键长缩短，价带与导带分别向低能和高能方向漂移，带内各峰发生小的劈裂，带隙Eg明显展宽，Zn的3d电子与O的2p电子杂化增强。