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本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析，在室温和液氮条件下，测量了晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污为自硅。
InP材料的质谱分析及霍耳系数测量
【摘 要】
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本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析，在室温和液氮条件下，测量了晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污为自硅。
【机 构】
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首都师范大学物理系,北京西城职大,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1996年3期
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