Theoretical Calculation on Optimum Si—doping Content in Boron Carbide Thin Film

来源 :半导体光子学与技术:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sinosteelpower
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The theoretical expression of the relationship between optimum doping content and crystal structure is presented as well as the preparation methods. By using this expression, the optimum doping content of silicon-doped boron carbide thin film is calculate
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