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应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤
应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:goodgay3_2004
【摘 要】
:
提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.
【作 者】
:
杨道虹
徐晨
沈光地
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制过程学院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年10期
【关键词】
:
微电子机械系统
阳极键合
双电场
micro-electronic machine systemanodic bondin gdouble electric f
【基金项目】
:
北京市教委资助项目 (批准号 :KM2 0 0 3 10 0 0 5 0 0 9)~~
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提出了采用双电场对硅/玻璃进行阳极键合的方法.采用这种方法,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏,同时实验结果也验证了该方法.
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