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在红外成像半实物仿真领域,电阻阵列一直是近20多年的研究热点,但其固有的辐射非均匀性对成像的保真度有着很大的负面影响。为了对电阻阵列进行非均匀性校正,必须对电阻阵列的非均匀性进行精确的测量。给出了电阻阵列Flood非均匀性测试法系统模型;分析了莫尔条纹的产生原因;针对非1：1映射比例下Flood非均匀性测试方法产生的莫尔条纹,提出了基于莫尔条纹预测的电阻阵列Flood非均匀性测试方法。仿真结果表明,该方法在小于1：1映射比例下可以取得很好的效果。