【摘 要】
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我们制成了一个带有电视摄象机的激光多普勒成象系统,并用它测定了矩形通道内各个截面上流体的速度分布。发现与常用的激光多普勒测速计相比较,这种系统具有诸如能方便地将流体的形象显示出来等优点。
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我们制成了一个带有电视摄象机的激光多普勒成象系统,并用它测定了矩形通道内各个截面上流体的速度分布。发现与常用的激光多普勒测速计相比较,这种系统具有诸如能方便地将流体的形象显示出来等优点。
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劳伦斯利弗莫尔实验室通过以紧凑的贮能装置——称为补偿脉冲交流发电机——代替原计划供给Nova以能量的装满地下室里的电容器组,可以节约1000万美元,驱动聚变的激光装置预定于1983年开动。据聚变计划负责人J.霍尔兹里克特说,贮能电容每焦耳大约花费27分,与此相比,补偿脉冲交流发电机每焦耳只花费20分。预期Nova需要贮能150兆焦耳;利弗莫尔估计2.5兆焦耳的交流发电机可能只有约5英尺直径和10英尺长。
通过理论推导分析了激光熔覆过程中熔覆层裂纹形成的物理机制,研究了激光光斑直径对裂纹缺陷的影响。选择40Cr 为基底材料,Ni60 为熔覆粉末进行了激光熔覆实验,获取了不同光斑直径下的熔覆效果图,并对裂纹分布特性进行了分析。理论与实验结果表明,随着激光光斑直径的增大,熔覆层的裂纹率逐渐增加,裂纹的深度逐渐加深,裂纹的宽度也随之加大。
系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200~500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低。当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10-3下降到最小值1.02×10-3 (1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密
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利用激光熔覆同轴送粉技术在TC4合金表面制备了不同CeO2含量的Ni60A复合涂层,以此提高TC4合金的耐腐蚀性。通过XRD、SEM、EDS等对CeO2/Ni60A复合涂层进行了表征与测试,结果表明:适量的稀土氧化物CeO2可以细化晶粒,改善涂层内部的组织分布,并且促进NiTi、Ti2Ni和TiC等增强相的生成;在电化学检测中,CeO2的质量分数为3%时CeO2/Ni60A涂
用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2 成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
为克服传统光谱仪普遍存在的体积较大、分辨率不高、光谱测量波段窄、对振动敏感、价格昂贵等不足。根据光散射原理,提出了一种由不同大小气泡构成散射介质的新型光谱仪,并对光谱复原过程进行仿真研究。光谱复原时,待测光首先照射到基底表面的气泡涂层。由于不同波长的光照射在不同大小气泡后在各散射角有不同的散射光强分布,因此置于气泡后方的像素元阵列可以测量到不同的散射光强。所得数据可代入到一个线性方程组,采用Tikhonov正则化方法解此方程组即可得到复原后的光谱图形。仿真结果表明:所得的复原光谱图形与待测光的入射光谱图形
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