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为提高0．35um30_40_50VBCD（bipolar—CMOS—DMOS）I艺下50VHVPMOS的电学性能，在不改变工艺流程的基础上，仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化．采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件，仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50VHVPMOS器件电学性能的影响．根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸，并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性．测试结果表明，优化后50vHVPMOS的开启电压降低到了一0．98V，击穿电压提高到了68V，特征