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业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22纳米制程．在EUV技术可能推迟至2011年之后的情况下，业界似乎都确信，目前的光学光刻方法有可能延伸至22纳米。而对于硅片直径由12英寸过渡到18英寸，分歧则很大。