MOD法制备的Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的铁电各向异性行为

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【摘要】

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采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于

【作者】

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马建华孟祥建孙璟兰褚君浩

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

BNT薄膜晶型结构铁电性能各向异性 BNT thin films crystallinity ferroelectricity anisotropy

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采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相反.BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

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