【摘 要】
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研究了利用选择外延生长的 In Ga As P材料的厚度增强因子和带隙波长的性质 ,最大的厚度增强因子为 2 .9.利用选择外延技术研制的 DFB激光器和模斑转换器的集成器件 ,阈值为
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所光电子工艺中心 北京100
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研究了利用选择外延生长的 In Ga As P材料的厚度增强因子和带隙波长的性质 ,最大的厚度增强因子为 2 .9.利用选择外延技术研制的 DFB激光器和模斑转换器的集成器件 ,阈值为 10 .8m A,在 60 m A下输出功率为 10 m W,边模抑制比为 3 5 .8d B,垂直方向上的远场发散角从 3 4°减少到 9°,垂直方向上的 1d B偏调容差为 3 .4 μm.
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