【摘 要】
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Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+是一种复合掺杂复合基质荧光材料.在此给出了440nm和520nm发射的激发谱,250nm到350nm的激发的发射谱,以及400nm到520nm的荧光衰减谱.紫外光区域的激发
【机 构】
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北京钢铁研究总院,测试研究所,北京,100081;北京化工厂,荧光分厂,北京,100021;清华大学,材料科学院,北京,100084
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Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+是一种复合掺杂复合基质荧光材料.在此给出了440nm和520nm发射的激发谱,250nm到350nm的激发的发射谱,以及400nm到520nm的荧光衰减谱.紫外光区域的激发谱表明,Ca0.9Sr0.1S:Bi3+, Tm3+有两个主要的能量传递体系,325nm的复合掺杂中心Tm3+的CT跃迁激发体系,和Bi3+的自身激发体系.紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在453nm处.在电子和空穴陷阱同时存在时,It=I0[(1+γet)(1+γht)]-n, 对于Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+材料γh＝0.0168,γe＝0.0001,n=1.1.Tm3+的电子陷阱深度约为0.5eV, 比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深.考虑复合基质材料的线性关系,电子陷阱的深度可表示为De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=(βhc-αhx)x+(βhs-αhx)(1-x).
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