Si量子点相关论文
当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸......
本论文主要包括三方面的工作,钛酸锶（SrTiO3,以下简称STO）的光致发光,STO的光催化性能,以及硅纳米点阵在HF酸电化学腐蚀形成Si纳米柱......
设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar......
近年来,与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。本文概述了Si基Ge异质结构发光器件的最新成果,如Ge/Si......
探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括：采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和......
采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄......
采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法在不同温度的Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅SiNx薄膜。在氮气氛中,于1 050℃下采用快速......
