【摘 要】
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本文研究了PECVD系统沉积薄膜及其特性.通过椭偏仪测出了薄膜的膜厚,采用电子薄膜应力分布测试仪分析了薄膜应力,并运用四探针装置研究了电阻率、方阻、TCR及它们之间的相互
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本文研究了PECVD系统沉积薄膜及其特性.通过椭偏仪测出了薄膜的膜厚,采用电子薄膜应力分布测试仪分析了薄膜应力,并运用四探针装置研究了电阻率、方阻、TCR及它们之间的相互关系.结果表明,所沉积的薄膜覆形特性好、沉积速度快,沉积速率达到了31.89nm/min,另外,它还具有低应力、高TCR的特点;当薄膜电阻率处在一定的范围内时,通过数据分析,电阻率与TCR之间几乎成线性关系.
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