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室温下光电导的衰减是个复杂过程,首先是迅速衰减的光电导(P.C)过程,随后则是缓慢衰减的持续光电导(P.P.C)过程。本文给出室温下持......
介绍了用 ECR-MP-CVD 方法在室温条件下,淀积α-Si:H 膜的光学性能,其光能隙 Eg 随工艺条件改变而不同,Eg 值在1.72～1.92eV 之间。......
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射......
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积......
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