【摘 要】
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采用第一性原理方法,对SiO2晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO2的光弹性系数.结果 表明,z轴方向的张应变增大时,SiO2带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO2带隙先增大后减小,在压应变量为2％时取得极大值.从张应变过渡到压应变的过程中,折射率逐渐增大.光弹性系数各分量随应变量变化具有不同变化趋势.该研究结果有助于相关器件的优化设计.
【机 构】
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武汉大学电子信息学院,湖北武汉430072
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采用第一性原理方法,对SiO2晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO2的光弹性系数.结果 表明,z轴方向的张应变增大时,SiO2带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO2带隙先增大后减小,在压应变量为2％时取得极大值.从张应变过渡到压应变的过程中,折射率逐渐增大.光弹性系数各分量随应变量变化具有不同变化趋势.该研究结果有助于相关器件的优化设计.
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