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<正>当晶体管尺寸达到45nm以后,传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大,迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键,因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态功耗。
应变硅：45nm的基本要素
【摘 要】
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<正>当晶体管尺寸达到45nm以后,传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大,迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键,因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态
【机 构】
：
SemiconductorInternational高级编辑
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2007年05期
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