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基于Ba_xS_（rl-x）TiO_2（BST）在微波调制器件上的应用,采用射频磁控溅射在Si衬底上制备了BST铁电薄膜,利用透射电子显微镜（TEM）对薄膜的内部结构进行了分析,得到BST薄膜的生长方式由最初的随机取向生长转变为最后的（111）面择优取向生长。
磁控溅射BST薄膜的透射电镜分析
【摘 要】
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基于Ba_xS_（rl-x）TiO_2（BST）在微波调制器件上的应用,采用射频磁控溅射在Si衬底上制备了BST铁电薄膜,利用透射电子显微镜（TEM）对薄膜的内部结构进行了分析,得到BST薄膜的生长方式由
【机 构】
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安徽省马鞍山工业学校,中钢集团安徽天源科技股份有限公司
【出 处】
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科技创新导报
【发表日期】
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2015年17期
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