新型PT IGBT型开关管与MOSFET型开关管的性能比较

来源 :电子产品世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：NO_IX

【摘要】

：

引言rn具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域.新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够

【机构】

：

APT公司高级应用工程师

【出处】

：

电子产品世界

【发表日期】

：

2003年22期

【关键词】

：

开关管导通损耗源驱动电子器件开关损耗工作电压高频高效电子领域强电流高电压占领应用协调统治技术工业电路电力

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引言rn具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域.新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够占领目前由MOSFET管统治的高频高效电子器件领域.在工作电压高于300V的各类工业场合,使用IGBT管替代MOSFET管作为开关电源驱动器件已经成为一种趋势.

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