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应用键弛豫理论（BOLS）对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析，得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因：硒化钨层数增加时，拉曼振动模Atg发生蓝移是由于最近邻原子的影响；成键原子控制着硒化钨拉曼E1/2g模和B1/2g模的红移。
硒化钨拉曼光谱层数效应
【摘 要】
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应用键弛豫理论（BOLS）对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析，得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因：硒化钨层数增加时，拉曼振动模
【机 构】
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吉首大学物理与机电工程学院,湘潭大学材料科学与工程学院
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2016年1期
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